一种FinFET器件阈值电压模型构建方法
实质审查的生效
摘要
本发明公开了一种FinFET器件阈值电压模型构建方法，涉及半导体集成电路技术领域，包括：建立闪烁噪声、跨导‑沟道温度映射模型；通过闪烁噪声、跨导‑沟道温度映射模型，求解不同偏置电压下FinFET器件的沟道温度；通过插值法得到偏置电压‑沟道温度关系模型；建立FinFET器件阈值电压模型。本发明建立了偏置电压‑沟道温度关系模型，其与温度‑阈值电压方程的结合，精确描述了偏置电压因改变了沟道温度而对阈值电压的影响，解决了FinFET器件的阈值电压测算精度的问题。本发明不局限于晶体管尺寸，适用面广，可移植性好。
基本信息
专利标题 ：
一种FinFET器件阈值电压模型构建方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114266169A
申请号 ：
CN202111628303.4
公开（公告）日 ：
2022-04-01
申请日 ：
2021-12-28
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
迟旭唐攀易凯李晨
申请人 ：
成都通量科技有限公司
申请人地址 ：
四川省成都市高新区天全路200号2栋19层
代理机构 ：
北京正华智诚专利代理事务所(普通合伙)
代理人 ：
代维凡
优先权 ：
CN202111628303.4
主分类号 ：
G06F30/20
IPC分类号 ：
G06F30/20 G06F17/12 G06F119/08 G06F119/10
IPC结构图谱
G
G部——物理
G06
计算；推算或计数
G06F
电数字数据处理
G06F30/20
设计优化、验证或模拟
法律状态
2022-04-19 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : G06F 30/20
申请日 : 20211228
申请日 : 20211228
2022-04-01 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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