具有高阈值电压的SiC MOSFET及制造方法
实质审查的生效
摘要
本发明公开了一种具有高阈值电压的SiC MOSFET，在衬底上表面依次外延有耐压外延层、电流扩展外延层；电流扩展外延层上表面间隔嵌有多个第一p阱区，每个第一p阱区中包围有一个第二p阱区；每个第三p阱区对应遮蔽一个第二p阱区下表面；每个第二p阱区上表面嵌有一个n+源区；相邻第一p阱区之间的电流扩展外延层上表面，依次间隔嵌有p+屏蔽区和一个p+发射区；还包括栅氧化层、多晶硅栅及钝化介质层；另外还包括源极/漏极欧姆接触金属、隔离介质层、源极/栅极/漏极PAD金属。本发明还公开了上述SiC MOSFET的制造方法。本发明SiC MOSFET，阈值电压更高，导通特性与阻断特性良好。
基本信息
专利标题 ：
具有高阈值电压的SiC MOSFET及制造方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114420758A
申请号 ：
CN202111492929.7
公开（公告）日 ：
2022-04-29
申请日 ：
2021-12-08
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
王曦解勇涛李佳思孙佳威许建宁夏浩玮
申请人 ：
西安理工大学
申请人地址 ：
陕西省西安市碑林区金花南路5号
代理机构 ：
西安弘理专利事务所
代理人 ：
王奇
优先权 ：
CN202111492929.7
主分类号 ：
H01L29/78
IPC分类号 ：
H01L29/78 H01L29/06 H01L21/336
法律状态
2022-05-20 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : H01L 29/78
申请日 : 20211208
申请日 : 20211208
2022-04-29 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
文件下载
暂无PDF文件可下载
