一种单电极偏移失配校正的电阻抗层析成像方法
公开
摘要
本发明公开了一种单电极偏移失配校正的电阻抗层析成像方法，根据被测场域获取重建所需的边界电压和灵敏度矩阵，通过理论计算单电极偏移时被测场域边界上的电势值得到边界电压变化量相对于偏移角度之间的先验矩阵，同时结合电极位移的雅可比矩阵，可以确定移动电极，得到电极偏移的方位和角度，并将失配的电压数据进行修正。利用正向问题中所求得的电极未发生偏移时的灵敏度矩阵，结合单电极发生偏移时修正后的边界电压数据，采用正则化方法对场域内部电导率变化值进行反演，实现图像重建。本发明能够有效克服单电极移动时产生的模型参数误差，抑制单电极移动对图像重建质量的影响，提高重建图像的空间分辨率，改善成像质量。
基本信息
专利标题 ：
一种单电极偏移失配校正的电阻抗层析成像方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114601443A
申请号 ：
CN202210175973.3
公开（公告）日 ：
2022-06-10
申请日 ：
2022-02-25
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
施艳艳娄亚君高振李亚婷杨坷王萌
申请人 ：
河南师范大学
申请人地址 ：
河南省新乡市牧野区建设东路46号
代理机构 ：
新乡市平原智汇知识产权代理事务所(普通合伙)
代理人 ：
路宽
优先权 ：
CN202210175973.3
主分类号 ：
A61B5/0536
IPC分类号 ：
A61B5/0536
IPC结构图谱
A
A部——人类生活必需
A61
医学或兽医学；卫生学
A61B
诊断；外科；鉴定
A61B5/0536
阻抗成像，例如通过层析成像
法律状态
2022-06-10 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
文件下载
暂无PDF文件可下载
