掺杂诱导歧化的碳包覆氧化亚硅材料及其制备方法与应用
公开
摘要
本发明公开了一种掺杂诱导歧化的氧化亚硅材料及其制备方法与应用，氧化亚硅材料的非晶氧化硅基体中掺杂有晶化石英相和纳米晶硅相，包括如下步骤：将氧化亚硅研磨后进行化学气相沉积，实现碳包覆；将所得粉末研磨后与碱金属氟化物混合研磨；将所得混合粉末进行热处理，研磨后即得。通过化学气相沉积获得碳包覆层；通过碱金属氟化物掺杂，加速其歧化反应，在低温短时热处理中内获得具有石英晶相、晶体硅相的歧化后氧化亚硅材料，稳定其结构，并提升其容量。
基本信息
专利标题 ：
掺杂诱导歧化的碳包覆氧化亚硅材料及其制备方法与应用
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114613982A
申请号 ：
CN202210211929.3
公开（公告）日 ：
2022-06-10
申请日 ：
2022-03-04
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
慈立杰李静孙卿
申请人 ：
山东大学
申请人地址 ：
山东省济南市历下区经十路17923号
代理机构 ：
济南圣达知识产权代理有限公司
代理人 ：
张晓鹏
优先权 ：
CN202210211929.3
主分类号 ：
H01M4/48
IPC分类号 ：
H01M4/48 H01M4/62
法律状态
2022-06-10 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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