一种碳包覆氧化亚硅负极材料，包括氧化亚硅颗粒和包覆在氧化亚硅颗粒表面的碳层，碳包覆氧化亚硅负极材料的碳含量为3wt％‑6wt％，比表面积为1.5‑2.5m²/g。其制备方法为：先通过低温CVD气相法在氧化亚硅表面沉积碳，然后进行高温歧化，得到碳包覆氧化亚硅负极材料。本发明在制备碳包覆氧化亚硅负极材料的过程中，通过先低温包覆再高温歧化，氧化亚硅基体与碳层之间空隙可有效缓冲材料体积膨胀，从而有效改善材料充放电时体积膨胀问题。相对于先高温歧化再进行沉积包覆，本发明的材料中硅化合价由0价转变为+4价时，在材料质量不变的情况下，密度会发生变化，相应体积也会收缩，形成微孔，从而改善电池的体积膨胀问题。