黑磷及其制备方法和应用
公开
摘要
本发明公开了一种黑磷及其制备方法和应用，黑磷的制备方法包括：在生长衬底的选定区域沉积成核剂；将沉积有成核剂的生长衬底和红磷分置于真空密闭的反应腔室的生长端和源端，其中，所述源端仅设置红磷作为单一的反应原料；在不超过450℃条件下对反应腔室进行加热，使磷蒸汽在生长衬底的选定区域与成核剂反应形成黑磷。本发明通过减少源端原料的组成，原料端只需要红磷，在生长端的生长衬底上沉积成核剂，可以实现低温（整个生长温度参数的最高温度不超过450℃）诱导黑磷，降低能耗，制备时间短，获得的黑磷纯度高。
基本信息
专利标题 ：
黑磷及其制备方法和应用
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114293146A
申请号 ：
CN202210213774.7
公开（公告）日 ：
2022-04-08
申请日 ：
2022-03-07
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
张凯汪永杰张严俞强
申请人 ：
中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所
申请人地址 ：
江苏省苏州市工业园区若水路398号
代理机构 ：
苏州三英知识产权代理有限公司
代理人 ：
仲崇明
优先权 ：
CN202210213774.7
主分类号 ：
C23C14/04
IPC分类号 ：
C23C14/04 C23C14/06
IPC结构图谱
C
C部——化学；冶金
C23
对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面化学处理；金属材料的扩散处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆；金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C
对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面扩散法，化学转化或置换法的金属材料表面处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C14/00
通过覆层形成材料的真空蒸发、溅射或离子注入进行镀覆
C23C14/04
局部表面上的镀覆，例如使用掩蔽物
法律状态
2022-04-08 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
文件下载
暂无PDF文件可下载
