等离子体工艺设备中用于解决寄生等离子体的结构及方法
公开
摘要
本发明公开了一种等离子体工艺设备中用于解决寄生等离子体的结构及方法，属于等离子体工艺设备领域。该结构的第一气体通道上连通有细孔绝缘管和第二气体通道，细孔绝缘管用于向布气盒组件内馈入工艺气体；第二气体通道与第一气体通道之间设置有通断阀，第二气体通道用于向布气盒组件内馈入清洗气体。因此，一方面，在加工前可将通断阀关闭，并向粗孔绝缘管道及第二气体通道内通入预设压力的清洗气体，以在粗孔绝缘管道及第二气体通道内形成相对高压环境；另一方面，将工艺气体和清洗气体的气路分开设置，使得工艺气体气路可以设置很小的内径，从而抑制工艺气体在进入工艺腔体前发生电解并产生寄生等离子体，有效地降低了因寄生等离子体而发生的绝缘管爆裂、损坏的概率。
基本信息
专利标题 ：
等离子体工艺设备中用于解决寄生等离子体的结构及方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114574837A
申请号 ：
CN202210224150.5
公开（公告）日 ：
2022-06-03
申请日 ：
2022-03-07
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
王登志王凤明陈晨屈庆源何学勇李王俊
申请人 ：
苏州迈为科技股份有限公司;苏州迈正科技有限公司
申请人地址 ：
江苏省苏州市吴江区芦荡路228号
代理机构 ：
江苏瑞途律师事务所
代理人 ：
邹超
优先权 ：
CN202210224150.5
主分类号 ：
C23C16/44
IPC分类号 ：
C23C16/44 C23C16/509 C23C16/455 H01J37/32
IPC结构图谱
C
C部——化学；冶金
C23
对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面化学处理；金属材料的扩散处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆；金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C
对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面扩散法，化学转化或置换法的金属材料表面处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16/00
通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆，例如化学气相沉积工艺
C23C16/44
以镀覆方法为特征的
法律状态
2022-06-03 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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