一种处理晶圆切割异常的分片切割方法
公开
摘要
本发明公开了半导体制造领域内的一种处理晶圆切割异常的分片切割方法，包括如下步骤：将晶圆合框，使切割刀按照先切割晶圆上的各IC长边切割道，再切割各IC短边切割道的顺序进行切割作业；当切割机出现真空异常或夹爪异常，导致IC长、短边切割道发生错位偏移时，通过分片与反向合框技术相结合的切割方式对切割异常导致的IC长、短边切割道偏移异常进行处理，实现IC从晶圆上顺利分离，减少损失。本发明适用于处理多种晶圆切割异常并实现IC从晶圆上分离。
基本信息
专利标题 ：
一种处理晶圆切割异常的分片切割方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114597126A
申请号 ：
CN202210231220.X
公开（公告）日 ：
2022-06-07
申请日 ：
2022-03-10
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
黄金良姜红涛高美山刘磊袁强
申请人 ：
江苏汇成光电有限公司
申请人地址 ：
江苏省扬州市邗江区扬州高新技术产业开发区金荣路19号
代理机构 ：
南京苏科专利代理有限责任公司
代理人 ：
王峰
优先权 ：
CN202210231220.X
主分类号 ：
H01L21/304
IPC分类号 ：
H01L21/304 H01L21/67
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21/00
专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/02
半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21/04
至少具有一个跃变势垒或表面势垒的器件，例如PN结、耗尽层、载体集结层
H01L21/18
器件有由周期表Ⅳ族元素或含有/不含有杂质的AⅢBⅤ族化合物构成的半导体，如掺杂材料
H01L21/30
用H01L21/20至H01L21/26各组不包含的方法或设备处理半导体材料的
H01L21/302
改变半导体材料的表面物理特性或形状的，例如腐蚀、抛光、切割
H01L21/304
机械处理，例如研磨、抛光、切割
法律状态
2022-06-07 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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