一种掺杂噻吩甲脒氯的高效宽带隙钙钛矿太阳电池及其制备方法
公开
摘要
本发明公开了一种掺杂噻吩甲脒氯的高效宽带隙钙钛矿太阳电池及其制备方法，该钙钛矿太阳电池从上至下依次包括ITO导电玻璃层、空穴传输层、宽带隙钙钛矿吸收层、电子传输层、空穴阻挡层和金属电极层；其中宽带隙钙钛矿吸收层为掺杂噻吩甲脒氯的甲脒铯铅碘溴钙钛矿。本发明提供的钙钛矿太阳电池可有效增加宽带隙钙钛矿薄膜中少数载流子寿命，钝化钙钛矿薄膜体内缺陷，提高宽带隙钙钛矿电池的开路电压和效率。
基本信息
专利标题 ：
一种掺杂噻吩甲脒氯的高效宽带隙钙钛矿太阳电池及其制备方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114628592A
申请号 ：
CN202210248422.5
公开（公告）日 ：
2022-06-14
申请日 ：
2022-03-14
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
裴子凡陈聪赵德威罗雁崔光垚
申请人 ：
四川大学
申请人地址 ：
四川省成都市武侯区一环路南一段24号
代理机构 ：
北京正华智诚专利代理事务所(普通合伙)
代理人 ：
刘方正
优先权 ：
CN202210248422.5
主分类号 ：
H01L51/46
IPC分类号 ：
H01L51/46 H01L51/42 H01L51/44 H01L51/48
法律状态
2022-06-14 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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