一种碳化硅MOSFET开通延时计算方法及其应用
公开
摘要
一种碳化硅MOSFET开通延时计算方法，包括碳化硅MOSFET开关暂态分析等效电路，包括：ugs达到阈值电压Vth前，列写驱动回路KVL方程和KCL方程；按照IEC标准，当ugs大小为10％的驱动正压VGH时，时间t的值为开通延时的起点ta；ugs达到阈值电压Vth后，列写驱动回路KCL方程、KVL方程，将id与ugs建模为线性关系，得到此阶段ugs表达式；利用饱和电流表达式修正id，求导得到电流变化率，根据主功率回路KVL方程，求得uds的表达式；按照IEC标准，当uds达到到90％的负载电压VDD时，时间t的值为开通延时的终点tb；求得tb与ta之间的差值，即为开通延时td(on)。
基本信息
专利标题 ：
一种碳化硅MOSFET开通延时计算方法及其应用
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114548013A
申请号 ：
CN202210254942.7
公开（公告）日 ：
2022-05-27
申请日 ：
2022-03-15
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
徐子珂蔡雨萌张阳孙鹏赵志斌曹博源王爽
申请人 ：
华北电力大学;国网上海市电力公司
申请人地址 ：
北京市昌平区朱辛庄北农路2号
代理机构 ：
北京君有知识产权代理事务所(普通合伙)
代理人 ：
焦丽雅
优先权 ：
CN202210254942.7
主分类号 ：
G06F30/367
IPC分类号 ：
G06F30/367
IPC结构图谱
G
G部——物理
G06
计算；推算或计数
G06F
电数字数据处理
G06F30/367
设计验证，例如，采用仿真，集成电路仿真程序，直接方法或松弛方法
法律状态
2022-05-27 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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