金属裸线中料制备方法及金属裸线中料
实质审查的生效
摘要

本发明公开了一种金属裸线中料制备方法及金属裸线中料,该方法包括步骤:通过提供基材;在基材上植入未镀绝缘层的裸线,以形成天线;在天线的始端和末端分别加入导电介质;将预设的芯片放置于导电介质上,形成基础中料,对基础中料进行层压,得到金属裸线中料。在基材上植入未镀绝缘层的天线,天线的始端和末端分为位于线圈内外两侧,以形成两个焊台,在天线两端焊台加入导电介质,将芯片放置于导电介质上,通过层压得到金属裸线中料,在此过程中,焊接不需要开绝缘层、无需用跳线的方式使天线末端跨过线圈,操作工艺简单化,易于实现生产自动化,且降低了不良品及成本,以提高了智能卡生产效率。

基本信息
专利标题 :
金属裸线中料制备方法及金属裸线中料
专利标题(英):
暂无
公开(公告)号 :
CN114361048A
申请号 :
CN202210266829.0
公开(公告)日 :
2022-04-15
申请日 :
2022-03-18
授权号 :
暂无
授权日 :
暂无
发明人 :
黎理彬邹大卡黎理明黎理杰
申请人 :
深圳源明杰科技股份有限公司
申请人地址 :
广东省深圳市宝安区松岗街道红星社区大田洋西坊工业区12栋厂房B
代理机构 :
深圳市恒程创新知识产权代理有限公司
代理人 :
苗广冬
优先权 :
CN202210266829.0
主分类号 :
H01L21/50
IPC分类号 :
H01L21/50  H01L21/603  H01L23/66  H01Q1/22  H01Q1/38  G06K19/077  
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21/00
专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/02
半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21/04
至少具有一个跃变势垒或表面势垒的器件,例如PN结、耗尽层、载体集结层
H01L21/50
应用H01L21/06至H01L21/326中的任一小组都不包含的方法或设备组装半导体器件的
法律状态
2022-05-03 :
实质审查的生效
IPC(主分类) : H01L 21/50
申请日 : 20220318
2022-04-15 :
公开
注:本法律状态信息仅供参考,即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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