一种用于氟化物多晶原料处理装置及方法
公开
摘要
本发明提供了一种用于氟化物多晶原料处理装置包括：炉膛和炉壁，炉膛内设置有坩埚，坩埚内放置氟化物多晶原料，坩埚开口处设置有排气结构，坩埚底部设置有进气结构用于气体进入坩埚内与氟化物多晶原料中，经过坩埚外面设置的加热器给坩埚加热反应将氟化物多晶体原料中的水与注入的气体反应从而减少氟化物多晶体原料的水含量少。本发明还提供了一种利用以上装置对氟化物多晶原料的处理方法，使用多次加温使使氟化物多晶原料与四氟化碳反应排出水。恒温结束后降到室温后取出作为氟化物单晶生长的多晶原料。通过对氟化物原料的处理，晶体生长后晶体表面比较光滑，晶体的紫外区间透过率比较好。
基本信息
专利标题 ：
一种用于氟化物多晶原料处理装置及方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114622279A
申请号 ：
CN202210267311.9
公开（公告）日 ：
2022-06-14
申请日 ：
2022-03-18
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
刘景峰
申请人 ：
四川奇峰景行光学科技有限公司
申请人地址 ：
四川省眉山市彭山区青龙镇龙都大道西段599号附1号(经济开发区)
代理机构 ：
北京中创阳光知识产权代理有限责任公司
代理人 ：
樊炳章
优先权 ：
CN202210267311.9
主分类号 ：
C30B29/12
IPC分类号 ：
C30B29/12 C30B35/00
IPC结构图谱
C
C部——化学；冶金
C30
晶体生长
C30B
单晶生长；共晶材料的定向凝固或共析材料的定向分层；材料的区熔精炼；具有一定结构的均匀多晶材料的制备；单晶或具有一定结构的均匀多晶材料；单晶或具有一定结构的均匀多晶材料之后处理；其所用的装置
C30B29/00
以材料或形状为特征的单晶或具有一定结构的均匀多晶材料
C30B29/10
无机化合物或组合物
C30B29/12
卤化物
法律状态
2022-06-14 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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