本发明提供了一种基于阵列基板结构的光学显示器件制作方法，属于光学显示半导体的技术领域；所述方法通过将同层设置的第一像素电极及第二像素电极采用异步制作方式，基于第一像素电极以呈矩形阵列分布在有机平坦层的基础上，通过钝化层的隔离，以使第二沉积层在沉积、刻蚀的制作形成第二像素电极过程中，可以有效控制第二像素电极与相邻第一像素电极之间的缝隙值达到预设值以内，以解决处于同层的第一像素电极及第二像素电极采用现有同步制成方式时，两者缝隙大小受限于现有制作过程中的曝光精度及蚀刻工艺精度等影响不能进一步减小的弊端，有效提高像素电极的开口率及减少高阶衍射产生的杂光，提高光学显示器件的相位调制性能。