一种利用原位-溶胶掺杂制备PI/SiO2
实质审查的生效
摘要
本发明公开了一种利用原位‑溶胶掺杂制备聚酰亚胺/二氧化硅(PI/SiO2)复合薄膜的方法。利用正硅酸乙酯在PI前驱体中易于均匀分散的特点，提高了SiO2在PI中分散性。首先，将纳米SiO2与4,4’‑二氨基二苯醚分散于N,N’‑二甲基乙酰胺中，加入均苯四甲酸二酐和正硅酸乙酯后得到成膜液。然后，成膜液通过流延工艺加工成膜并加热处理，得到PI/SiO2复合薄膜。与未添加正硅酸乙酯所得PI/SiO2复合薄膜相比，本方法获得PI/SiO2复合薄膜的拉伸强度为114兆帕，提高了21％，击穿场强可达208千伏/毫米，提高了6％。通过本方法制备的PI/SiO2复合薄膜的耐电晕寿命可达101分钟，是纯PI的20倍。
基本信息
专利标题 ：
一种利用原位-溶胶掺杂制备PI/SiO2复合薄膜的方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114539576A
申请号 ：
CN202210288659.6
公开（公告）日 ：
2022-05-27
申请日 ：
2022-03-23
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
林家齐王宇杨文龙刘欣美
申请人 ：
哈尔滨理工大学
申请人地址 ：
黑龙江省哈尔滨市南岗区学府路52号哈尔滨理工大学西区
代理机构 ：
代理人 ：
优先权 ：
CN202210288659.6
主分类号 ：
C08J5/18
IPC分类号 ：
C08J5/18 C08L79/08 C08K7/26 C08G73/10
IPC结构图谱
C
C部——化学；冶金
C08
有机高分子化合物；其制备或化学加工；以其为基料的组合物
C08J
加工；配料的一般工艺过程；不包括在C08B，C08C，C08F，C08G或C08H小类中的后处理
C08J5/00
含有高分子物质的制品或成形材料的制造
C08J5/18
薄膜或片材的制造
法律状态
2022-06-14 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : C08J 5/18
申请日 : 20220323
申请日 : 20220323
2022-05-27 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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