氮化硅波导辅助悬臂梁端面耦合器
公开
摘要
本发明提供了一种氮化硅波导辅助悬臂梁端面耦合器，包括硅衬底、氮化硅波导结构、硅波导结构、连接梁结构以及悬臂梁结构；悬臂梁结构连接设置在连接梁结构上，连接梁结构连接设置在硅衬底上；硅衬底设置有衬底槽，悬壁梁结构悬于衬底槽的上方；氮化硅波导结构和硅波导结构设置在悬壁梁结构内，氮化硅波导结构位于硅波导结构的上方；氮化硅波导结构的一端设置在耦合端面处，硅波导结构的一端与耦合端面间隔设置；氮化硅波导结构为亚波长光栅氮化硅波导结构，硅波导结构为亚波长光栅倒锥硅波导结构。本发明提高了端面耦合器的耦合效率，降低了耦合器的偏振敏感性。
基本信息
专利标题 ：
氮化硅波导辅助悬臂梁端面耦合器
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114594548A
申请号 ：
CN202210295252.6
公开（公告）日 ：
2022-06-07
申请日 ：
2022-03-24
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
程秀兰李雅倩王敏权雪玲刘民王晓东
申请人 ：
上海交通大学
申请人地址 ：
上海市闵行区东川路800号
代理机构 ：
上海汉声知识产权代理有限公司
代理人 ：
胡晶
优先权 ：
CN202210295252.6
主分类号 ：
G02B6/13
IPC分类号 ：
G02B6/13 G02B6/136 G02B6/12
IPC结构图谱
G
G部——物理
G02
光学
G02B
光学元件、系统或仪器附注
G02B6/00
光导；包含光导和其他光学元件的装置的结构零部件
G02B6/10
光波导式的
G02B6/12
集成光路类型
G02B6/13
以制作方法为特征的集成光路
法律状态
2022-06-07 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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