光波导耦合器及其制备方法
公开
摘要
本申请涉及一种光波导耦合器及其制备方法。一种光波导耦合器，包括基片、高折射率波导以及低折射率波导。高折射率波导形成于基片上；高折射率波导包括依次连接且沿第一方向延伸的第一导波段和第二导波段；其中，在第一方向上，第二导波段的厚度逐渐减小。低折射率波导形成于基片上，且覆盖高折射率波导。其中，低折射率波导的折射率介于基片的隔离层和高折射率波导的折射率之间，且被配置为用于将光束从光纤传输至高折射率波导，第二导波段沿第二方向的尺寸大于预设值。第二导波段和低折射率波导的对准容差较高，可有效提高光波导耦合器的制作容差，降低光波导耦合器的制造成本，有利于光波导耦合器的批量制造。
基本信息
专利标题 ：
光波导耦合器及其制备方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114594547A
申请号 ：
CN202210335051.4
公开（公告）日 ：
2022-06-07
申请日 ：
2022-03-31
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
薄方贾笛张国权许京军
申请人 ：
南开大学
申请人地址 ：
天津市南开区卫津路94号
代理机构 ：
北京华进京联知识产权代理有限公司
代理人 ：
乔改利
优先权 ：
CN202210335051.4
主分类号 ：
G02B6/12
IPC分类号 ：
G02B6/12 G02B6/122
IPC结构图谱
G
G部——物理
G02
光学
G02B
光学元件、系统或仪器附注
G02B6/00
光导；包含光导和其他光学元件的装置的结构零部件
G02B6/10
光波导式的
G02B6/12
集成光路类型
法律状态
2022-06-07 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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