一种端面耦合器
授权
摘要
本实用新型涉及光电器件领域，具体涉及一种端面耦合器，包括SOI衬底，包括硅衬底以及设置于硅衬底上的埋氧层；氧化硅层，设置在埋氧层与硅衬底相对的一侧；第一波导，其位于端面耦合器的拟耦合波传入的一侧，用于将拟耦合波限定在预定大小的模场内；硅基光波导，位于端面耦合器拟耦合波传出的一侧；以及，第二波导，其用于将被第一波导限定在预定模场内的拟耦合波耦合至硅基光波导内；其中，第一波导、第二波导和硅基光波导均位于氧化硅层内部。本实用新型提供的端面耦合器具有与光纤耦合效率高、带宽大、工艺难度及成本较低的优点。
基本信息
专利标题 ：
一种端面耦合器
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN201922006665.4
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2019-11-19
授权号 ：
CN210626707U
授权日 ：
2020-05-26
发明人 ：
孙思维刘丰满曹立强
申请人 ：
华进半导体封装先导技术研发中心有限公司
申请人地址 ：
江苏省无锡市新吴区菱湖大道200号传感网国际创新园D1栋
代理机构 ：
北京三聚阳光知识产权代理有限公司
代理人 ：
李静
优先权 ：
CN201922006665.4
主分类号 ：
G02B6/122
IPC分类号 ：
G02B6/122 G02B6/132 G02B6/14 G02B6/24
IPC结构图谱
G
G部——物理
G02
光学
G02B
光学元件、系统或仪器附注
G02B6/00
光导；包含光导和其他光学元件的装置的结构零部件
G02B6/10
光波导式的
G02B6/12
集成光路类型
G02B6/122
基本光学元件，例如，传导光的光路
法律状态
2020-05-26 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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