一种基于LNOI材料的低插入损耗端面耦合器
授权
摘要
本发明公开了一种基于LNOI材料的低插入损耗端面耦合器，包括基于LNOI材料的锥形渐变周期亚波长光栅波导、亚波长光栅填充缓冲区域、锥形拉锥、倒锥型耦合区域、脊型输出波导；其中倒锥型耦合区域位于上述其他结构的上方。本发明可实现光纤模式与LN脊型波导传输模式间的模式转换功能，实现低损耗光纤与芯片端面对接，适用于电光调制器、波导阵列光栅、微环谐振器等铌酸锂集成光路光学器件的端面接口，具有尺寸紧凑、耦合效率高、宽带宽等优点。
基本信息
专利标题 ：
一种基于LNOI材料的低插入损耗端面耦合器
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN112596155A
申请号 ：
CN202011488410.7
公开（公告）日 ：
2021-04-02
申请日 ：
2020-12-16
授权号 ：
CN112596155B
授权日 ：
2022-06-14
发明人 ：
胡国华祝霖崔一平邓春雨梁玥喻杭彭惠民恽斌峰张若虎
申请人 ：
东南大学
申请人地址 ：
江苏省南京市玄武区四牌楼2号
代理机构 ：
南京众联专利代理有限公司
代理人 ：
杜静静
优先权 ：
CN202011488410.7
主分类号 ：
G02B6/122
IPC分类号 ：
G02B6/122 G02B6/124 G02B6/14
IPC结构图谱
G
G部——物理
G02
光学
G02B
光学元件、系统或仪器附注
G02B6/00
光导；包含光导和其他光学元件的装置的结构零部件
G02B6/10
光波导式的
G02B6/12
集成光路类型
G02B6/122
基本光学元件，例如，传导光的光路
法律状态
2022-06-14 ：
授权
2021-04-23 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : G02B 6/122
申请日 : 20201216
申请日 : 20201216
2021-04-02 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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