一种L到Ka超宽频段内可调吸波结构
公开
摘要
本发明公开了一种L到Ka超宽频段内可调吸波结构，包括吸波体，吸波体依次包括第一有源频率选择表面层、第一支撑层、无源频率选择表面层、第二有源频率选择表面层、第二支撑层和纯金属层；第一有源频率选择表面层包括第一方环单元、第一二极管和第一介质板，第一方环单元通过第一电感连接；第二有源频率选择表面层包括第二方环单元、第二二极管和第二介质板，第二方环单元通过第二电感连接；无源频率选择表面层包括方片单元和第三介质板。本发明采用上述结构的一种L到Ka超宽频段内可调吸波结构，解决了现有吸波材料难以在低频段实现良好的吸波性能、且很少有吸波材料能在多频段内存在多个吸波带可调谐的问题，有利于适应更加复杂多变的电磁环境。
基本信息
专利标题 ：
一种L到Ka超宽频段内可调吸波结构
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114583472A
申请号 ：
CN202210301687.7
公开（公告）日 ：
2022-06-03
申请日 ：
2022-03-24
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
姜超夏俊杰曹文博杨继华
申请人 ：
中南大学
申请人地址 ：
湖南省长沙市岳麓区麓山南路932号
代理机构 ：
北京圣州专利代理事务所(普通合伙)
代理人 ：
王宇航
优先权 ：
CN202210301687.7
主分类号 ：
H01Q17/00
IPC分类号 ：
H01Q17/00
法律状态
2022-06-03 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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