具有微结构阵列的压电材料层及其制备方法和应用
实质审查的生效
摘要
本发明涉及微纳加工技术领域，具体而言，涉及一种具有微结构阵列的压电材料层及其制备方法和应用。具有微结构阵列的压电材料层的制备方法包括以下步骤：采用MEMS工艺在预氧化的硅片表面进行刻蚀制备微结构阵列；采用倒模工艺将微结构阵列浸入PZT陶瓷浆料内，对PZT陶瓷浆料进行脱脂固化、烧结；PZT陶瓷浆料中PZT陶瓷的体积百分比为70%‑80%；脱脂固化的温度在600℃以下至少分成3个温度梯度进行阶段性脱脂固化。本发明制得的具有微结构阵列的压电材料层的形貌可灵活调控，且尺寸较小。
基本信息
专利标题 ：
具有微结构阵列的压电材料层及其制备方法和应用
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114497352A
申请号 ：
CN202210353179.3
公开（公告）日 ：
2022-05-13
申请日 ：
2022-04-06
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
刘通黄世峰阮勇牟言鹏曹丽霞宋志强何长运周祥亮
申请人 ：
淄博高新技术产业开发区MEMS研究院;济南大学;山东超探电子科技有限公司
申请人地址 ：
山东省淄博市淄博高新区政通路135号F座103室
代理机构 ：
北京华进京联知识产权代理有限公司
代理人 ：
崔彤彤
优先权 ：
CN202210353179.3
主分类号 ：
H01L41/39
IPC分类号 ：
H01L41/39 H01L41/187 B06B1/06 B81C1/00 C04B35/491 C04B35/638
法律状态
2022-05-31 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : H01L 41/39
申请日 : 20220406
申请日 : 20220406
2022-05-13 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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