多波段超表面吸收器
公开
摘要
本发明多波段超表面吸收器涉及纳米级超表面吸收器技术领域；该多波段超表面吸收器，由基底层、介质层、底层银圆环、中层圆环介质层和顶层银圆环组成；所述矩形介质层紧贴于基底层上方，矩形金属层上设置有底层银圆环，所述底层银圆环上覆盖有中层圆环介质层，所述中层圆环介质层上覆盖有顶层银圆环；本发明多波段超表面吸收器采用了底层银圆环、中层圆环介质层和顶层银圆环的三层结构，即采用了银层‑二氧化硅层‑银层的三层结构，同单层银结构相比，因为正好满足表面等离子体沿着金属‑介质‑金属的传播条件，所以吸收效果更好；同时，这些材料不仅在现实生活中常见，而且无复杂结构，集成度高，便于加工。
基本信息
专利标题 ：
多波段超表面吸收器
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114578464A
申请号 ：
CN202210389336.6
公开（公告）日 ：
2022-06-03
申请日 ：
2022-04-14
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
高扬刘畅张景煜冯恒利房冬超王金成张作鑫王乐慧韩萌孟祥程
申请人 ：
黑龙江大学
申请人地址 ：
黑龙江省哈尔滨市南岗区学府路74号
代理机构 ：
哈尔滨华夏松花江知识产权代理有限公司
代理人 ：
岳昕
优先权 ：
CN202210389336.6
主分类号 ：
G02B5/00
IPC分类号 ：
G02B5/00 G02B1/00
IPC结构图谱
G
G部——物理
G02
光学
G02B
光学元件、系统或仪器附注
G02B5/00
除透镜外的光学元件
法律状态
2022-06-03 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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