一种半导体器件及其制作方法、高精度过温保护电路
实质审查的生效
摘要
本发明公开了一种半导体器件及其制作方法、高精度过温保护电路。该方法包括在衬底的上侧制作外延层；通过Ring注入操作和Ring推阱操作将外延层划分出终端区、主MOS元胞区、二极管区以及设置在主MOS元胞区与二极管区之间的隔离区；对未被多晶硅阻挡的主MOS元胞区和二极管区依次进行第二导电类型元素的注入和退火操作，以在二极管区内制作出二极管的阳极，所述二极管的阳极与其下侧的外延层和衬底配合形成二极管结构。本发明可使过温保护监测精度更高，客户可根据自身需求进行定制化设计；可使过温保护灵敏度更高；过温保护监测电路的可靠性更优；集成度更高，成本更低，更适合轻型化、小型化发展方向。
基本信息
专利标题 ：
一种半导体器件及其制作方法、高精度过温保护电路
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114520144A
申请号 ：
CN202210419414.2
公开（公告）日 ：
2022-05-20
申请日 ：
2022-04-21
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
何军胡兴正薛璐刘海波
申请人 ：
南京华瑞微集成电路有限公司
申请人地址 ：
江苏省南京市浦口区浦滨大道88号科创广场3号楼5楼
代理机构 ：
南京瑞华腾知识产权代理事务所(普通合伙)
代理人 ：
徐冲冲
优先权 ：
CN202210419414.2
主分类号 ：
H01L21/265
IPC分类号 ：
H01L21/265 H01L21/324 H01L21/8234 H01L27/06
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21/00
专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/02
半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21/04
至少具有一个跃变势垒或表面势垒的器件，例如PN结、耗尽层、载体集结层
H01L21/18
器件有由周期表Ⅳ族元素或含有/不含有杂质的AⅢBⅤ族化合物构成的半导体，如掺杂材料
H01L21/26
用波或粒子辐射轰击的
H01L21/263
带有高能辐射的
H01L21/265
产生离子注入的
法律状态
2022-06-07 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : H01L 21/265
申请日 : 20220421
申请日 : 20220421
2022-05-20 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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