本发明公开一种长度伸缩谐振型磁传感器，属于磁传感器技术领域，包括第一引出电极，第二引出电极，以及自下而上依次设置的基座、下磁敏薄膜、下电极层、压电薄膜层、上电极层和上磁敏薄膜；压电薄膜层包括中间镂空的绝缘结构，位于绝缘结构镂空区域的长度伸缩型压电薄膜结构，以及两个用于固定的支撑梁；基座上表面设有空腔，下磁敏薄膜和下电极层位于空腔内部对应压电薄膜结构位置；上电极层与第一引出电极相连，下电极层贯穿绝缘结构与第二引出电极相连。本发明中下磁敏薄膜和上磁敏薄膜均可与待测磁场充分接触，同时利用压电薄膜结构的长度伸缩特性，保证ΔE效应的充分转换，提高磁传感器的相对灵敏度。