一种可控晶体结构AlMgB14涂层制备装置
授权
摘要
一种可控晶体结构AlMgB14涂层制备装置。本实用新型针对已有磁控溅射技术制备AlMgB14涂层以非晶态为主的问题。本实用新型包括前高频感应线圈、左高频感应线圈、后高频感应线圈、右高频感应线圈、AlMgB14靶、试样盘等，4个高频感应线圈均匀分布在试样盘21四周。基于高频感应的集肤效应加热沉积AlMgB14涂层，实现快速高温晶化处理，调控AlMgB14非晶组分与晶体组分比例，赋予AlMgB14晶体结构涂层超性能。
基本信息
专利标题 ：
一种可控晶体结构AlMgB14涂层制备装置
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN202220135406.0
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2022-01-18
授权号 ：
CN216639635U
授权日 ：
2022-05-31
发明人 ：
许建平陈晶王佳杰
申请人 ：
黑龙江工程学院;黑龙江省海振科技有限公司
申请人地址 ：
黑龙江省哈尔滨市道外区红旗大街999号
代理机构 ：
代理人 ：
优先权 ：
CN202220135406.0
主分类号 ：
C23C14/35
IPC分类号 ：
C23C14/35 C23C14/06 C23C14/54 C23C14/58
IPC结构图谱
C
C部——化学；冶金
C23
对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面化学处理；金属材料的扩散处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆；金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C
对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面扩散法，化学转化或置换法的金属材料表面处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C14/00
通过覆层形成材料的真空蒸发、溅射或离子注入进行镀覆
C23C14/22
以镀覆工艺为特征的
C23C14/34
溅射
C23C14/35
利用磁场的，例如磁控溅射
法律状态
2022-05-31 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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