一种具有抗干扰能力的光MOS继电器
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摘要
一种具有抗干扰能力的光MOS继电器，包括发光二极管、光伏二极管阵列MOS管和电阻；电阻并联在发光二极管上；发光二极管的正极与外部输入正极电气连接；发光二极管的负极与外部输入负极电气连接；发光二极管与光伏二极管阵列隔离耦合；光伏二极管阵列的正极与MOS管的栅极连接，MOS管的漏极与外部的输出正极电气连接；光伏二极管阵列的负极与MOS管的源极连接后与外部的输出负极电气连接。当输入端加电时，发光二极管的导通压降为V导通，电阻与发光二极管并联，流经电阻的电流I电阻＝V导通/R，输入接通电流I＝I电阻+I二极管，根据需要的输入接通电流，选择合适的电阻；在输入接通电压不变的情况下，提高了输入接通电流，避免了干扰电流造成产品误导通。
基本信息
专利标题 ：
一种具有抗干扰能力的光MOS继电器
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN202220176197.4
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2022-01-21
授权号 ：
CN216751705U
授权日 ：
2022-06-14
发明人 ：
李晓娇李强蹇兰
申请人 ：
贵州航天电器股份有限公司
申请人地址 ：
贵州省贵阳市经济技术开发区红河路7号
代理机构 ：
贵州派腾知识产权代理有限公司
代理人 ：
谷庆红
优先权 ：
CN202220176197.4
主分类号 ：
H03K17/785
IPC分类号 ：
H03K17/785
法律状态
2022-06-14 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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