高均匀度磁场的永磁磁体
专利权的终止未缴年费专利权终止
摘要
本发明是一种可以在气隙中获得较大范围的高均匀磁场区的永磁磁体。它由封闭的轭铁和在轭铁内部围绕气隙空间布置的主磁块、极面、侧磁块和堵漏磁块组成。医用核磁共振成象技术所用的磁体，要求有人体能够进入的高均匀气隙区，采用本发明可大大降低这类磁体的体积、重量和造价。本发明也可用于其他要求具有高均匀气隙磁场的各类工业分析仪器用磁体。
基本信息
专利标题 ：
高均匀度磁场的永磁磁体
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN85103498A
申请号 ：
CN85103498.5
公开（公告）日 ：
1986-11-19
申请日 ：
1985-05-20
授权号 ：
CN85103498B
授权日 ：
1987-05-06
发明人 ：
周荣琮尹仪方沙震亚张勇
申请人 ：
中国科学院电工研究所
申请人地址 ：
北京市海淀区中关村
代理机构 ：
中国科学院专利事务所
代理人 ：
方国成
优先权 ：
CN85103498.5
主分类号 ：
H01F7/02
IPC分类号 ：
H01F7/02 G01R33/22 A61B5/05
相关图片
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01F
磁体；电感；变压器；磁性材料的选择
H01F7/00
磁体
H01F7/02
永久磁体
法律状态
1994-11-16 ：
专利权的终止未缴年费专利权终止
1987-11-18 ：
授权
1986-11-19 ：
公开
1985-12-20 ：
实质审查请求
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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1、
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