单晶永磁场
专利权的终止
摘要

本实用新型公开了一种用于与单晶炉配套的永磁场。该单晶永磁场由分别固定在轭板上的两个磁系构成,两轭板经导磁板连接在一起;轭板固定在立柱上,安装在单晶炉两侧,使磁系中心与炉体结晶位置平齐,两磁系相对,与轭板、导磁板形成半围形状。本实用新型可以取代单晶电磁场,磁场强度固定为1200Gs,可以保证多晶硅在结晶为单晶时的工艺参数,可以用在炉主室直径在800mm及800mm以上的单晶炉上。与电磁场相比,节省能源,工作过程中不耗能,免维护,工作过程中无故障,没有噪音污染。

基本信息
专利标题 :
单晶永磁场
专利标题(英):
暂无
公开(公告)号 :
暂无
申请号 :
CN200820010573.2
公开(公告)日 :
暂无
申请日 :
2008-02-01
授权号 :
CN201165565Y
授权日 :
2008-12-17
发明人 :
张承臣李恒盛吴文奎李文忠
申请人 :
抚顺隆基磁电设备有限公司
申请人地址 :
113122辽宁省抚顺市经济开发区顺发路82号
代理机构 :
抚顺宏达专利代理有限责任公司
代理人 :
李壮男
优先权 :
CN200820010573.2
主分类号 :
C30B30/04
IPC分类号 :
C30B30/04  
IPC结构图谱
C
C部——化学;冶金
C30
晶体生长
C30B
单晶生长;共晶材料的定向凝固或共析材料的定向分层;材料的区熔精炼;具有一定结构的均匀多晶材料的制备;单晶或具有一定结构的均匀多晶材料;单晶或具有一定结构的均匀多晶材料之后处理;其所用的装置
C30B30/00
利用电场、磁场、波能或其他特定物理条件的作用为特征来制备单晶或具有一定结构的均匀多晶材料
C30B30/04
用磁场的
法律状态
2018-03-02 :
专利权的终止
专利权有效期届满IPC(主分类) : C30B 30/04
申请日 : 20080201
授权公告日 : 20081217
2011-12-21 :
专利权人的姓名或者名称、地址的变更
号牌文件类型代码 : 1602
号牌文件序号 : 101241711734
IPC(主分类) : C30B 30/04
专利号 : ZL2008200105732
变更事项 : 专利权人
变更前 : 抚顺隆基电磁科技有限公司
变更后 : 沈阳隆基电磁科技股份有限公司
变更事项 : 地址
变更前 : 113122 辽宁省抚顺市经济开发区顺发路82号
变更后 : 113122 辽宁省抚顺市经济开发区顺发路82号
2009-07-22 :
专利申请权、专利权的转移(专利权的转移)
变更事项 : 专利权人
变更前权利人 : 抚顺隆基磁电设备有限公司
变更后权利人 : 抚顺隆基电磁科技有限公司
变更事项 : 地址
变更前 : 辽宁省抚顺市经济开发区顺发路82号,邮编 : 113122
变更后 : 辽宁省抚顺市经济开发区顺发路82号,邮编 : 113122
登记生效日 : 20090612
2008-12-17 :
授权
注:本法律状态信息仅供参考,即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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