辉光放电分解装置
专利权的终止未缴年费专利权终止
摘要
带有接地电极、基片、RF电极、射频电源、带有至少一个电元件的控制电路和匹配电路的辉光放电分解装置、基片都并行装在设置在各个RF电极上的接地电极上，各RF电极并行设置并彼此绝缘；匹配电路从射频电源接收射频能量；控制电路从匹配电路接收射频能量，并向RF电极提供射频能量；通过提供受到控制电路独立控制的射频功率，在基片上制作出薄膜，从而使等离子体在各电极上都受到控制。
基本信息
专利标题 ：
辉光放电分解装置
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN85104968A
申请号 ：
CN85104968.0
公开（公告）日 ：
1987-01-07
申请日 ：
1985-06-29
授权号 ：
CN1014082B
授权日 ：
1991-09-25
发明人 ：
太和田喜久中山威久田井雅彦生地望
申请人 ：
钟渊化学工业株式会社;株式会社岛津制作所
申请人地址 ：
日本大阪府大阪市北区中之岛三丁目2番4号
代理机构 ：
中国国际贸易促进委员会专利代理部
代理人 ：
李强
优先权 ：
CN85104968.0
主分类号 ：
C23C16/50
IPC分类号 ：
C23C16/50
IPC结构图谱
C
C部——化学；冶金
C23
对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面化学处理；金属材料的扩散处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆；金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C
对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面扩散法，化学转化或置换法的金属材料表面处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16/00
通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆，例如化学气相沉积工艺
C23C16/44
以镀覆方法为特征的
C23C16/50
借助放电的
法律状态
1999-08-25 ：
专利权的终止未缴年费专利权终止
1992-06-24 ：
授权
1991-09-25 ：
审定
1987-12-09 ：
实质审查请求
1987-01-07 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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