强光离子渗金属装置及其方法
专利权的终止未缴年费专利权终止
摘要
本发明公开了一种利用二次着火现象所设计的强光离子渗金属装置及其方法。渗层深度明显加深，渗钼层达285微米，渗入金属种类不受限制。阴极座上有一个用渗入金属做成的桶形靶，内放工件，工件周围放置渗入金属碎片，在适当条件下，桶形靶内电离产生“雪崩”，形成高能量强光离子区，完成强光离子渗金属过程，该区温度可达1700℃，也可以作为科学研究用新颖的高温能源。
基本信息
专利标题 ：
强光离子渗金属装置及其方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN85106757A
申请号 ：
CN85106757.3
公开（公告）日 ：
1987-04-15
申请日 ：
1985-09-10
授权号 ：
CN1004933B
授权日 ：
1989-08-02
发明人 ：
李仲君
申请人 ：
电子工业部工艺研究所
申请人地址 ：
山西省太原市第115信箱
代理机构 ：
电子工业部专利服务中心
代理人 ：
邱应凤
优先权 ：
CN85106757.3
主分类号 ：
C23C10/00
IPC分类号 ：
C23C10/00 C23C14/48 C23C14/00
IPC结构图谱
C
C部——化学；冶金
C23
对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面化学处理；金属材料的扩散处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆；金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C
对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面扩散法，化学转化或置换法的金属材料表面处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C10/00
金属材料表面中仅渗入金属元素或硅的固渗
法律状态
1999-11-03 ：
专利权的终止未缴年费专利权终止
1990-11-21 ：
授权
1989-08-02 ：
审定
1988-03-16 ：
实质审查请求
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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