金属等离子体源离子注入方法及装置
专利权的终止未缴年费专利权终止
摘要
本发明涉及金属等离子体源离子注入的方法及装置、主要特征是在加有封闭磁场的真空室内激发金属等离子体并施加负高压脉冲，本发明装置为一个具有封闭磁场的真空室，真空室外设灯丝电源，热电子发射电源和高压脉冲电源及磁条，室内设工作台或支架，阴极靶，灯丝等装置。采用本发明，可以对工件进行全方位的离子注入或离子混合注入，适用于各种机器零件、工模具，半导体器件及宝石和非金属材料。
基本信息
专利标题 ：
金属等离子体源离子注入方法及装置
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN1087131A
申请号 ：
CN92113717.6
公开（公告）日 ：
1994-05-25
申请日 ：
1992-11-20
授权号 ：
CN1030777C
授权日 ：
1996-01-24
发明人 ：
夏立芳
申请人 ：
哈尔滨工业大学
申请人地址 ：
150006黑龙江省哈尔滨市西大直街166号
代理机构 ：
哈尔滨工业大学专利事务所
代理人 ：
黄锦阳
优先权 ：
CN92113717.6
主分类号 ：
C23C14/48
IPC分类号 ：
C23C14/48 C23C14/32
IPC结构图谱
C
C部——化学；冶金
C23
对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面化学处理；金属材料的扩散处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆；金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C
对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面扩散法，化学转化或置换法的金属材料表面处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C14/00
通过覆层形成材料的真空蒸发、溅射或离子注入进行镀覆
C23C14/22
以镀覆工艺为特征的
C23C14/48
离子注入
法律状态
1999-01-13 ：
专利权的终止未缴年费专利权终止
1996-01-24 ：
授权
1994-08-03 ：
实质审查请求的生效
1994-05-25 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
文件下载
暂无PDF文件可下载
