一种替代金属过渡连接层的离子注入方法
公开
摘要
本发明属于表面科学与工程技术领域，具体公开了一种替代金属过渡连接层的离子注入方法，采用高能纯金属离子进行注入和镀膜，有效解决复杂腔体结构陶瓷器件的孔、道侧壁金属层的均匀性和致密性差的问题，降低器件整体插损，取消陶瓷基体和金属导电层之间的过渡连接层结构和金属层沉积时的还原性保护气体，简化镀膜工序，降低生产成本，提高生产效率，绿色环保无污染。本方法如下：步骤(1)、采用霍尔离子源，进行介质陶瓷工件表面离子束溅射清洗；步骤(2)、采用高能脉冲离子源，进行介质陶瓷器件表面双金属离子共注入；步骤(3)、采用真空磁过滤阴极电弧离子镀，进行介质陶瓷器件表面金属导电层沉积；步骤(4)、降温取出工件。
基本信息
专利标题 ：
一种替代金属过渡连接层的离子注入方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114592176A
申请号 ：
CN202111681990.6
公开（公告）日 ：
2022-06-07
申请日 ：
2021-12-31
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
陈美艳唐德礼刘旋崔西蓉
申请人 ：
核工业西南物理研究院;中核同创（成都）科技有限公司
申请人地址 ：
四川省成都市双流西南航空港黄荆路5号
代理机构 ：
核工业专利中心
代理人 ：
陈丽丽
优先权 ：
CN202111681990.6
主分类号 ：
C23C14/48
IPC分类号 ：
C23C14/48 C23C14/02 C23C14/18
IPC结构图谱
C
C部——化学；冶金
C23
对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面化学处理；金属材料的扩散处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆；金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C
对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面扩散法，化学转化或置换法的金属材料表面处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C14/00
通过覆层形成材料的真空蒸发、溅射或离子注入进行镀覆
C23C14/22
以镀覆工艺为特征的
C23C14/48
离子注入
法律状态
2022-06-07 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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