具有轴向静电约束的等离子体离子注入系统

发明专利申请公布后的视为撤回

摘要

本发明提供一种等离子体离子注入系统，所述系统包含：处理腔室；源，其用于在所述处理腔室中产生等离子体；压板，其用于将衬底固持在所述处理腔室中；注入脉冲源，其经配置以产生用于将来自所述等离子体的离子加速进入所述衬底中的注入脉冲；以及轴向静电约束结构，其经配置以将电子约束在大体上与所述压板的表面正交的方向上。所述约束结构可包含：辅助电极，其与所述压板间隔开；以及偏置源，其经配置从而以相对于所述等离子体的负电位来对所述辅助电极进行偏置。

基本信息

专利标题：

具有轴向静电约束的等离子体离子注入系统

专利标题（英）：

暂无

公开（公告）号：

CN101111922A

申请号：

CN200580047453.9

公开（公告）日：

2008-01-23

申请日：

2005-12-06

授权号：

暂无

授权日：

暂无

发明人：

史帝文·R·沃特方子韦

申请人：

瓦里安半导体设备公司

申请人地址：

美国马萨诸塞州

代理机构：

上海专利商标事务所有限公司

代理人：

左一平

优先权：

CN200580047453.9

主分类号：

H01J37/32

IPC分类号：

H01J37/32