电增强等离子体约束

专利权的终止

摘要

一种包括具有接地壁和出口的室的真空等离子体处理器。在与壁以及出口隔开的室区域中以第一RF频率激励等离子体。一结构将等离子体约束在此区域，同时使气体能够从此区域流到出口。连接到约束结构的处于第二频率的RF电源使得该约束结构处于不同于接地点的电位，从而增加等离子体与约束结构之间的鞘层的大小，并增加约束结构的有效性。此区域包括经由与第一频率串联谐振并包括鞘层电容的电路接地的电极。

基本信息

专利标题：

电增强等离子体约束

专利标题（英）：

暂无

公开（公告）号：

CN101088139A

申请号：

CN200580044623.8

公开（公告）日：

2007-12-12

申请日：

2005-12-29

授权号：

暂无

授权日：

暂无

发明人：

A·库提J·金E·兰斯R·迪恩德萨L·李R·萨贾迪

申请人：

拉姆研究有限公司

申请人地址：

美国加利福尼亚州

代理机构：

上海专利商标事务所有限公司

代理人：

李玲

优先权：

CN200580044623.8

主分类号：

H01J37/32

IPC分类号：

H01J37/32