具有磁场增强装置的等离子体装置
专利权的终止
摘要

具有磁场增强装置的等离子体装置属于等离子体应用技术领域,用于提高等离子体区内等离子体的密度;采用磁场增强装置,将等离子体约束在一定的磁场区域内;磁场增强装置为与电极结构配套的永久性磁体组成的磁块组合体(12),引入磁场的强度为10~1000mT;在适宜基材连续卷绕工艺的等离子体化学气相沉积装置中,磁块组合体(12),由与左、右转辊电极(2)、(3)相应的外、内磁块组合体(13)、(14)组成;有益效果,用于等离子体化学气相沉积,可于基材表面沉积聚合成纳米级厚的功能保护膜,致密度高,阻隔性好;用于大气放电装置,对物料改性处理及对物体表面改性处理;能提高等离子体的应用性能和效果,并且速度快。

基本信息
专利标题 :
具有磁场增强装置的等离子体装置
专利标题(英):
暂无
公开(公告)号 :
暂无
申请号 :
CN200720169925.4
公开(公告)日 :
暂无
申请日 :
2007-07-27
授权号 :
CN201066954Y
授权日 :
2008-05-28
发明人 :
陈强张跃飞付亚波杨丽珍孙运金
申请人 :
北京印刷学院
申请人地址 :
102600北京市大兴区黄村镇兴华北路25号北京印刷学院
代理机构 :
北京同汇友专利事务所
代理人 :
高云瑞
优先权 :
CN200720169925.4
主分类号 :
H05H1/10
IPC分类号 :
H05H1/10  
法律状态
2012-09-19 :
专利权的终止
未缴年费专利权终止号牌文件类型代码 : 1605
号牌文件序号 : 101328110952
IPC(主分类) : H05H 1/10
专利号 : ZL2007201699254
申请日 : 20070727
授权公告日 : 20080528
终止日期 : 20110727
2008-05-28 :
授权
注:本法律状态信息仅供参考,即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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