一种磁场增强平板等离子体化学气相沉积设备及系统
授权
摘要
本发明实施例提供一种磁场增强平板等离子体化学气相沉积设备及系统，包括：真空室、平板放电电极上极板、平板放电电极下极板、下极板基片台、真空泵组、质量流量计、高压电源，所述下极板基片台设置于所述平板放电电极下极板的正面，还包括：磁场发生装置，所述磁场发生装置设置于所述平板放电电极下极板背面，并与所述下极板基片台相对。本发明的优点在于能够有效的约束等离子体放电过程中产生的粒子，提高单位体积内的粒子密度，提高薄膜的沉积速率和薄膜质量，同时又可以提高真空镀膜的薄膜沉积速率，缩短整个真空镀膜的镀膜时间。
基本信息
专利标题 ：
一种磁场增强平板等离子体化学气相沉积设备及系统
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN110923673A
申请号 ：
CN201911074079.1
公开（公告）日 ：
2020-03-27
申请日 ：
2019-11-05
授权号 ：
CN110923673B
授权日 ：
2022-05-13
发明人 ：
赵高朱慧钦滕达桓琼莎
申请人 ：
郑州师范学院
申请人地址 ：
河南省郑州市惠济区大学城北区英才街6号
代理机构 ：
北京城烽知识产权代理事务所(特殊普通合伙)
代理人 ：
王新月
优先权 ：
CN201911074079.1
主分类号 ：
C23C16/50
IPC分类号 ：
C23C16/50
IPC结构图谱
C
C部——化学；冶金
C23
对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面化学处理；金属材料的扩散处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆；金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C
对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面扩散法，化学转化或置换法的金属材料表面处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16/00
通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆，例如化学气相沉积工艺
C23C16/44
以镀覆方法为特征的
C23C16/50
借助放电的
法律状态
2022-05-13 ：
授权
2020-07-10 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : C23C 16/50
申请日 : 20191105
申请日 : 20191105
2020-03-27 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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