等离子体增强原子层沉积系统和方法
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摘要
一种用于利用等离子体增强原子层沉积(PEALD)工艺在衬底上沉积膜的方法包括将衬底放置在被配置为促进PEALD工艺的工艺室中、将第一处理材料引入工艺室内以及将第二处理材料引入工艺室内。该方法还包括在第二处理材料的引入期间将电磁功率耦合到工艺室，以生成促进在衬底表面处第一和第二处理材料之间的还原反应的等离子体。该方法还包括将反应性净化气体引入工艺室内，所述反应性净化气体与工艺室中的污染物发生化学反应以从工艺室部件或衬底中的至少一个中释放出污染物。
基本信息
专利标题 ：
等离子体增强原子层沉积系统和方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN101147248A
申请号 ：
CN200680009127.3
公开（公告）日 ：
2008-03-19
申请日 ：
2006-03-15
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
松田司
申请人 ：
东京毅力科创株式会社
申请人地址 ：
日本东京都
代理机构 ：
北京东方亿思知识产权代理有限责任公司
代理人 ：
李剑
优先权 ：
CN200680009127.3
主分类号 ：
H01L21/461
IPC分类号 ：
H01L21/461 C23C16/00
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21/00
专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/02
半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21/04
至少具有一个跃变势垒或表面势垒的器件，例如PN结、耗尽层、载体集结层
H01L21/34
具有H01L21/06，H01L21/16及H01L21/18各组不包含的或有或无杂质，例如掺杂材料的半导体的器件
H01L21/46
用H01L21/36至H01L21/428各组不包含的方法或设备处理半导体材料的
H01L21/461
改变半导体材料的表面物理特性或形状的，例如腐蚀、抛光、切割
法律状态
2010-02-17 ：
授权
2008-05-14 ：
实质审查的生效
2008-03-19 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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