等离子体增强原子层沉积系统和方法
专利权的终止
摘要
一种用于利用等离子体增强原子层沉积(PEALD)工艺在衬底上沉积膜的方法包括将衬底放置在被配置为促进PEALD工艺的工艺室中。向工艺室中引入第一处理材料，并且向工艺室中引入第二处理材料。在第二处理材料的引入期间高于600W的电磁功率被耦合到工艺室，以生成加速在衬底表面处的第一和第二处理材料之间的还原反应的等离子体。通过交替引入第一处理材料和第二处理材料在衬底上形成膜。
基本信息
专利标题 ：
等离子体增强原子层沉积系统和方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN101147247A
申请号 ：
CN200680009167.8
公开（公告）日 ：
2008-03-19
申请日 ：
2006-03-15
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
石坂忠大柳本熏
申请人 ：
东京毅力科创株式会社
申请人地址 ：
日本东京都
代理机构 ：
北京东方亿思知识产权代理有限责任公司
代理人 ：
李剑
优先权 ：
CN200680009167.8
主分类号 ：
H01L21/44
IPC分类号 ：
H01L21/44
相关图片
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21/00
专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/02
半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21/04
至少具有一个跃变势垒或表面势垒的器件，例如PN结、耗尽层、载体集结层
H01L21/34
具有H01L21/06，H01L21/16及H01L21/18各组不包含的或有或无杂质，例如掺杂材料的半导体的器件
H01L21/44
用H01L21/36至H01L21/428各组不包含的方法或设备在半导体材料上制造电极的
法律状态
2018-03-30 ：
专利权的终止
未缴年费专利权终止IPC(主分类) : H01L 21/44
申请日 : 20060315
授权公告日 : 20100127
终止日期 : 20170315
申请日 : 20060315
授权公告日 : 20100127
终止日期 : 20170315
2010-01-27 ：
授权
2008-05-14 ：
实质审查的生效
2008-03-19 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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1、
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