一种多片式旋转等离子体增强原子层沉积成膜装置
授权
摘要
本实用新型涉及薄膜制备技术领域，尤其涉及一种多片式旋转等离子体增强原子层沉积成膜装置，其特征在于：所述装置包括真空镀膜室、射频等离子体面源以及多层式基片支架，所述真空镀膜室和所述射频等离子体面源相连通，所述多层式基片支架设置在所述真空镀膜室内并可在所述真空镀膜室的内部旋转，所述多层式基片支架具有至少两个沿高度方向叠置的基片装载位，且所述基片装载位垂直于所述射频等离子体面源布置。本实用新型的优点是：把射频等离子体面源和多层转架装片系统结合，可实现同时多片成膜功能，大大提高了等离子体增强原子层沉积的基片装载量，提高生产效率；面型等离子体源的加入可有效降低原子层沉积成膜时的温度窗口；具有结构紧凑、占地面积小、运营成本低的优点。
基本信息
专利标题 ：
一种多片式旋转等离子体增强原子层沉积成膜装置
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN201921509920.0
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2019-09-11
授权号 ：
CN210711735U
授权日 ：
2020-06-09
发明人 ：
靳伟崔国东戴秀海
申请人 ：
光驰科技（上海）有限公司
申请人地址 ：
上海市宝山区宝山城市工业园区城银路267号
代理机构 ：
上海申蒙商标专利代理有限公司
代理人 ：
周宇凡
优先权 ：
CN201921509920.0
主分类号 ：
C23C16/455
IPC分类号 ：
C23C16/455 C23C16/458
IPC结构图谱
C
C部——化学；冶金
C23
对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面化学处理；金属材料的扩散处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆；金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C
对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面扩散法，化学转化或置换法的金属材料表面处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16/00
通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆，例如化学气相沉积工艺
C23C16/44
以镀覆方法为特征的
C23C16/455
向反应室输入气体或在反应室中改性气流的方法
法律状态
2020-06-09 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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