一种电容耦合等离子体原子层沉积反应腔体
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摘要
本实用新型涉及原子层沉积反应设备技术领域，且公开了一种电容耦合等离子体原子层沉积反应腔体，包括腔体底座和腔体盖，所述腔体底座的内侧安装有环壁隔热层，所述腔体底座腔体端口内侧底部安装有水冷盖板，所述腔体底座的两侧对称安装有伸缩气弹簧，所述腔体底座的内侧壁安装有中央加热盘，腔体底座的底部安装有与中央加热盘相连通的法兰焊接头。该电容耦合等离子体原子层沉积反应腔体，通过电容耦合，激发反应气体活化，使反应气体具有更好的反应活性，从而提高原子层沉积过程中的反应效率，降低沉积温度，提高薄膜的沉积质量有效的增加了设备水平压力稳定性，外腔体筒的内侧台阶式设计，有效的降低放电离子撞击设备腔体内侧壁。
基本信息
专利标题 ：
一种电容耦合等离子体原子层沉积反应腔体
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN202020281180.6
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2020-03-09
授权号 ：
CN211734467U
授权日 ：
2020-10-23
发明人 ：
不公告发明人
申请人 ：
江苏迈纳德微纳技术有限公司
申请人地址 ：
江苏省无锡市新吴区菱湖大道228号天安智慧城3-104
代理机构 ：
无锡市才标专利代理事务所(普通合伙)
代理人 ：
田波
优先权 ：
CN202020281180.6
主分类号 ：
C23C16/455
IPC分类号 ：
C23C16/455 C23C16/50
相关图片
IPC结构图谱
C
C部——化学；冶金
C23
对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面化学处理；金属材料的扩散处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆；金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C
对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面扩散法，化学转化或置换法的金属材料表面处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16/00
通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆，例如化学气相沉积工艺
C23C16/44
以镀覆方法为特征的
C23C16/455
向反应室输入气体或在反应室中改性气流的方法
法律状态
2020-10-23 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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