等离子体约束装置及等离子体处理装置
授权
摘要
本实用新型公开了一种等离子体约束装置及等离子体处理装置，所述等离子体约束装置设置于等离子体处理装置的处理区域和排气区域之间，包括：导电元件，所述导电元件设置有若干个通道，所述处理区域里的用过的反应气体通过此通道排出；阻挡部，其设置在所述导电元件的所述通道中，用于部分遮挡连通所述处理区域和所述排气区域的所述通道。本实用新型能够减少半导体基片表面附着的颗粒物的数量，提高颗粒物在半导体基片表面分布均匀性，进而提高刻蚀均匀性。
基本信息
专利标题 ：
等离子体约束装置及等离子体处理装置
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN202021680952.X
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2020-08-13
授权号 ：
CN212461598U
授权日 ：
2021-02-02
发明人 ：
傅时梁杨金全王枫
申请人 ：
中微半导体设备（上海）股份有限公司
申请人地址 ：
上海市浦东新区金桥出口加工区（南区）泰华路188号
代理机构 ：
上海元好知识产权代理有限公司
代理人 ：
周乃鑫
优先权 ：
CN202021680952.X
主分类号 ：
H01J37/32
IPC分类号 ：
H01J37/32 H01L21/67
相关图片
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01J
放电管或放电灯
H01J37/00
有把物质或材料引入使受到放电作用的结构的电子管，例如为了对其检验或加工的
H01J37/32
充气放电管
法律状态
2021-02-02 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
文件下载
1、
CN212461598U.PDF
PDF下载
