基底附热熔粘合剂集成电路硅芯片复合物的制做方法
专利权的终止未缴年费专利权终止
摘要
本文提供了一种制做在硅基底上附有热熔粘合剂的集成电路硅组合件小片的方法。当一种热熔粘合剂被甩涂到硅基底上之后，片状的集成电路组合件硅片被切割，同时，由将集成电路硅小片整体地粘在导体村底上的方法，可制出集成电路硅组合件阵列。
基本信息
专利标题 ：
基底附热熔粘合剂集成电路硅芯片复合物的制做方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN86100204A
申请号 ：
CN86100204.0
公开（公告）日 ：
1986-08-13
申请日 ：
1986-01-17
授权号 ：
CN1004843B
授权日 ：
1989-07-19
发明人 ：
加里·查尔斯·戴维斯
申请人 ：
通用电气公司
申请人地址 ：
美国纽约州斯克内克塔迪
代理机构 ：
中国专利代理有限公司
代理人 ：
刘元金
优先权 ：
CN86100204.0
主分类号 ：
H01L21/80
IPC分类号 ：
H01L21/80 H01L21/96 H01L21/58
法律状态
1998-03-11 ：
专利权的终止未缴年费专利权终止
1992-09-23 ：
著录项目变更
变更事项 : 申请人
变更前 : 通用电气公司
变更后 : 微硅有限公司
变更事项 : 地址
变更前 : 美国纽约州
变更后 : 美国阿里桑那州
变更前 : 通用电气公司
变更后 : 微硅有限公司
变更事项 : 地址
变更前 : 美国纽约州
变更后 : 美国阿里桑那州
1990-04-04 ：
授权
1989-07-19 ：
审定
1988-04-27 ：
实质审查请求
1986-08-13 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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