一种实现滴状冷凝的方法
驳回申请决定
摘要
在制作传热元件的金属基体的20～10000A的表面层内，采用离子镀加离子束混合工艺和离子注入两种技术，以自钝化元素Cr、Fe、Al、Ti、Zr、Ta，表面活性元素Bi、N、F、H和CH4为合金元素，制备低表面能合金。本发明所制备的各种铜基合金表面，水蒸汽能形成滴状冷凝；并解决了已有实现滴状冷凝的方法中存在的问题；其传热性能优于镀Au、Ag和聚合物薄膜的表面，与某些有机促进剂处理的表面相当，但寿命已超过这些表面。
基本信息
专利标题 ：
一种实现滴状冷凝的方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN86104466A
申请号 ：
CN86104466
公开（公告）日 ：
1988-01-06
申请日 ：
1986-06-28
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
张东昌林纪方林载祁朱晓波梁允成
申请人 ：
大连工学院
申请人地址 ：
辽宁省大连市凌水河
代理机构 ：
大连工学院专利事务所
代理人 ：
王纯
优先权 ：
CN86104466
主分类号 ：
C23C14/16
IPC分类号 ：
C23C14/16 C23C14/48
IPC结构图谱
C
C部——化学；冶金
C23
对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面化学处理；金属材料的扩散处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆；金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C
对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面扩散法，化学转化或置换法的金属材料表面处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C14/00
通过覆层形成材料的真空蒸发、溅射或离子注入进行镀覆
C23C14/06
以镀层材料为特征的
C23C14/14
金属材料、硼或硅
C23C14/16
在金属基体或在硼或硅基体上
法律状态
1989-02-22 ：
驳回申请决定
1988-01-06 ：
公开
1987-04-01 ：
实质审查请求
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
文件下载
1、
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