一种滴状冷凝金属材料的制备方法
专利申请的视为撤回
摘要
一种滴状冷凝金属材料的制备方法，它是将烷烃及沉积于表面的铬金属层强化固溶于黄铜基体中，形成具有滴状冷凝作用的Cu-Cr-烷烃的合金层。其离子镀膜是在氩气分压为1～1.5×10-2mmHg，烷烃气体分压为1～1.5×10-2mmHg，向待镀工件施加1500～2000V电压，0.1～0.3A电流，同时使铬靶处于500～600V电压10～15A电流条件下镀膜15～40秒。离子溅射是在氩气分压为2～3×10-2mmHg、待镀工件电压1500～2000V、电流0.1～0.3A时，溅射10～15分钟。
基本信息
专利标题 ：
一种滴状冷凝金属材料的制备方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN1063907A
申请号 ：
CN91100649.4
公开（公告）日 ：
1992-08-26
申请日 ：
1991-01-29
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
赵起李桂芹汪国强朱晓波张殿富李松平
申请人 ：
大连理工大学;大连发电总厂
申请人地址 ：
116024辽宁省大连市凌水河
代理机构 ：
大连市专利服务中心
代理人 ：
郭丽华
优先权 ：
CN91100649.4
主分类号 ：
C23C14/16
IPC分类号 ：
C23C14/16 C23C14/34 F28F13/04 F28F19/06
IPC结构图谱
C
C部——化学；冶金
C23
对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面化学处理；金属材料的扩散处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆；金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C
对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面扩散法，化学转化或置换法的金属材料表面处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C14/00
通过覆层形成材料的真空蒸发、溅射或离子注入进行镀覆
C23C14/06
以镀层材料为特征的
C23C14/14
金属材料、硼或硅
C23C14/16
在金属基体或在硼或硅基体上
法律状态
1995-04-19 ：
专利申请的视为撤回
1993-10-13 ：
实质审查请求的生效
1992-08-26 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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