光学传感器
被视为撤回的申请
摘要
本发明涉及一种光敏二极管单元及其制作方法。二极管单元由构成阴极的第一层n型氢化非晶硅和构成阳极的第二层P+型材料组成，第二层位于第一层之上，并且是透光层。由于采用了氢化非晶硅，本发明的光敏二极管单元具有高光电导率，可控变化的光通道以及薄膜结构等特点。采用此种二极管单元组成的光敏二极管阵列容易制作，它运用简单的电路来寻址每一个二极管单元。其特征在于单元之间串扰很小，并具有最大的光灵敏度和宽的动态范围。
基本信息
专利标题 ：
光学传感器
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN86108567A
申请号 ：
CN86108567
公开（公告）日 ：
1987-10-07
申请日 ：
1986-12-27
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
梅丁·艾克蒂克
申请人 ：
米特尔公司
申请人地址 ：
加拿大安大略省
代理机构 ：
中国专利代理有限公司
代理人 ：
肖春京
优先权 ：
CN86108567
主分类号 ：
H01L31/10
IPC分类号 ：
H01L31/10 H01L31/18 H04B9/00
相关图片
法律状态
1990-05-16 ：
被视为撤回的申请
1988-03-16 ：
实质审查请求
1987-10-07 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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1、
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