超低温烧结PNN压电陶瓷及其制造工艺
专利权的终止未缴年费专利权终止
摘要
一种超低温烧结PNN压电陶瓷及其制造工艺。本发明属于压电陶瓷及其制造领域。本发明采用铌镍锆酞酸铅压电陶瓷，以镉取代部分铅并添加二氧化硅、二氧化锰，加过量氧化铅而实现超低温烧结，烧结温度840°～1000℃。既可以密闭烧结，也可以敞开烧结。本瓷料不仅具有节约能耗、降低氧化铅挥发、简化工艺等优点，而且具有优良压电性能。用这种瓷料可以制作多层<独石>器件、蜂鸣器、换能器、滤波器等，并且生产效率高，成本低。
基本信息
专利标题 ：
超低温烧结PNN压电陶瓷及其制造工艺
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN86108741A
申请号 ：
CN86108741.0
公开（公告）日 ：
1988-02-24
申请日 ：
1986-12-25
授权号 ：
CN86108741B
授权日 ：
1988-04-06
发明人 ：
桂治轮高素华李龙土张孝文
申请人 ：
清华大学
申请人地址 ：
北京市海淀区清华园
代理机构 ：
清华大学专利事务所
代理人 ：
王兵
优先权 ：
CN86108741.0
主分类号 ：
H01L41/18
IPC分类号 ：
H01L41/18 H01L41/22 C04B35/49
法律状态
2000-02-16 ：
专利权的终止未缴年费专利权终止
1988-12-07 ：
授权
1988-04-06 ：
审定
1988-02-24 ：
公开
1987-08-12 ：
实质审查请求
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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