低温烧结的含铅系压电陶瓷及其制造方法
专利权的终止未缴年费专利权终止
摘要
低温烧结的含铅系压电陶瓷及其制造方法，属于压电陶瓷及其制造领域，该种陶瓷的典型基本组份为：Pb1-xAx(B11/3 BH2/3)y(B1y1/3 B■2/3)2TiwO3+q1wt％ MnO2+q2wt％SiO2+q3wt％Pb3O4+q4wt％Bi2O3+q5wt％B2O3，其中A为镉，B′为镁，B″为铌，B″′为镍，B″″为铌。该种陶瓷材料能在840℃～1000℃下烧成，工艺简单，性能优良，成本降低，可以广泛用来制压电陶瓷蜂鸣器、压电点火器、换能器、滤波器以及各种独石型压电器件。
基本信息
专利标题 ：
低温烧结的含铅系压电陶瓷及其制造方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN1037426A
申请号 ：
CN88100350.6
公开（公告）日 ：
1989-11-22
申请日 ：
1988-02-06
授权号 ：
CN1006941B
授权日 ：
1990-02-21
发明人 ：
桂治轮李龙土张孝文高素华孙红飞刘玉顺
申请人 ：
清华大学
申请人地址 ：
北京市海淀区清华园
代理机构 ：
清华大学专利事务所
代理人 ：
王兵
优先权 ：
CN88100350.6
主分类号 ：
H01L41/187
IPC分类号 ：
H01L41/187 H01B3/12 C04B35/49
法律状态
2000-04-05 ：
专利权的终止未缴年费专利权终止
1990-09-19 ：
授权
1990-02-21 ：
审定
1989-11-22 ：
公开
1988-08-17 ：
实质审查请求
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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