太阳能电池及硅器件化学镀镍方法
专利权的终止未缴年费专利权终止
摘要
太阳电池及硅器件化学镀镍的方法，本发明屡半导体工艺。以光刻胶直接作为硅片表面的掩蔽涂层，掩模光刻，带胶化学镀镍形成斯需的接触电极取代黑胶掩敷工艺，可一步实现太阳能电池正面栅电池和背电池以及硅器件选择性电极的制造。
基本信息
专利标题 ：
太阳能电池及硅器件化学镀镍方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN87102147A
申请号 ：
CN87102147.1
公开（公告）日 ：
1988-10-12
申请日 ：
1987-03-17
授权号 ：
CN1013909B
授权日 ：
1991-09-11
发明人 ：
何敬文刘斌刘雅言王中纪
申请人 ：
中国科学院长春应用化学研究所
申请人地址 ：
吉林省长春市斯大林大街109号
代理机构 ：
中国科学院长春专利事务所
代理人 ：
宋天平
优先权 ：
CN87102147.1
主分类号 ：
H01L21/28
IPC分类号 ：
H01L21/28 H01L21/308 H01L31/18
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21/00
专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/02
半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21/04
至少具有一个跃变势垒或表面势垒的器件，例如PN结、耗尽层、载体集结层
H01L21/18
器件有由周期表Ⅳ族元素或含有/不含有杂质的AⅢBⅤ族化合物构成的半导体，如掺杂材料
H01L21/28
用H01L21/20至H01L21/268各组不包含的方法或设备在半导体材料上制造电极的
法律状态
1994-01-19 ：
专利权的终止未缴年费专利权终止
1992-06-17 ：
授权
1991-09-11 ：
审定
1988-10-12 ：
公开
1987-11-18 ：
实质审查请求
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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