致密表层陶瓷结构及其制造方法
专利申请的视为撤回
摘要
本发明涉及自支承陶瓷结构及其制造方法，该自支承陶瓷结构包括埋有填料的陶瓷复合结构。该陶瓷结构包括由熔融的母金属体与氧化剂的氧化形成的多晶体材料。该多晶体材料具有一个始区基体，其上覆盖有终区薄层，该终区薄层与始区构成整体。该终区薄层比起区基体更硬并具有更致密的、更细的晶体结构，而且是在多晶体的起区形成的反应阶段之后的反应阶段中形成的。在尽管留下或保留足够可氧化的熔融母金属去形成终区的多晶体材料的条件下，第一阶段的生长通过削弱或中断熔融母金属向第一区的输送来完成。
基本信息
专利标题 ：
致密表层陶瓷结构及其制造方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN87106040A
申请号 ：
CN87106040.X
公开（公告）日 ：
1988-04-27
申请日 ：
1987-09-01
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
斯坦利·J·卢兹克兹哈利·R·兹威克尔
申请人 ：
兰克西敦技术公司
申请人地址 ：
美国特拉华州
代理机构 ：
中国国际贸易促进委员会专利代理部
代理人 ：
段承恩
优先权 ：
CN87106040.X
主分类号 ：
C22C29/12
IPC分类号 ：
C22C29/12
IPC结构图谱
C
C部——化学；冶金
C22
冶金；黑色或有色金属合金；合金或有色金属的处理
C22C
合金
C22C29/00
以碳化物、氧化物、硼化物、氮化物或硅化物或其他金属化合物为基的合金
C22C29/12
以氧化物为基的
法律状态
1997-07-23 ：
专利申请的视为撤回
1988-04-27 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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