具有混合氧化物绝缘体的二极管
专利权的终止未缴年费专利权终止
摘要
一种MIM二极管(10)的绝缘体(14)具有80毫微米的最大厚度、并且包括氧化钽和另一种氧化物(例如氧化铝或氧化硅)的混合物。和包括纯氧化钽的绝缘体相比，该混合物具有较低的漏电流和较高的非线性。所述另一种氧化物可以具有该绝缘体的、大约在10至70之间的平均摩尔百分数，该绝缘体的最小厚度可以是大约35毫微米、以避免出现针孔。
基本信息
专利标题 ：
具有混合氧化物绝缘体的二极管
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN87107422A
申请号 ：
CN87107422.2
公开（公告）日 ：
1988-07-20
申请日 ：
1987-12-08
授权号 ：
CN1009602B
授权日 ：
1990-09-12
发明人 ：
戴维·阿瑟·弗斯特利昂·约瑟夫·维兰
申请人 ：
美国无线电公司
申请人地址 ：
美国新泽西州
代理机构 ：
中国专利代理有限公司
代理人 ：
何耀煌
优先权 ：
CN87107422.2
主分类号 ：
H01L49/00
IPC分类号 ：
H01L49/00
法律状态
1996-01-24 ：
专利权的终止未缴年费专利权终止
1991-06-05 ：
授权
1990-09-12 ：
审定
1990-02-21 ：
实质审查请求
1988-07-20 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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