一种薄膜电阻温度传感器及制造方法
专利权的终止未缴年费专利权终止
摘要
该薄膜电阻温度传感器的特征是在表面有氧化硅绝缘层的硅芯片上形成铝钛薄膜热敏电阻片的结构。为使传感器小型化、工作温度范围宽和灵敏度高，采用了薄膜结构，微细图案设计和加工技术，温度传感器封装在小型金属管壳里，电阻值为600-130Ω，电阻正温度系数约4200×10-5/℃，能在正200℃-负200℃的温度范围内使用，最大非线性度小于0.5％。
基本信息
专利标题 ：
一种薄膜电阻温度传感器及制造方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN88102279A
申请号 ：
CN88102279.9
公开（公告）日 ：
1988-11-30
申请日 ：
1988-04-18
授权号 ：
CN1007764B
授权日 ：
1990-04-25
发明人 ：
茅有福
申请人 ：
华东师范大学
申请人地址 ：
上海市普陀区中山北路3663号
代理机构 ：
华东师范大学专利事务所
代理人 ：
俞允超
优先权 ：
CN88102279.9
主分类号 ：
H01C7/02
IPC分类号 ：
H01C7/02 G01K7/16
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01C
电阻器
H01C7/00
用一层或多层薄膜或涂敷膜构成的不可调电阻器；由含或不包含绝缘材料的粉末导电材料或粉末半导体材料构成的不可调电阻器
H01C7/02
具有正温度系数的
法律状态
1994-02-16 ：
专利权的终止未缴年费专利权终止
1990-12-26 ：
授权
1990-04-25 ：
审定
1988-11-23 ：
实质审查请求
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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